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由于近期市场反馈，Toshiba的光耦TLP182-GB-TPL,E已经停产，寻求替代料，我们推荐EVERLIGHT品牌的AC贴片光耦EL354NA(TB)-VG来替代，经客户实验试产，可以100%全面替换，其规格后面的-V表示通过VDE安规认证，G表示符合无卤要求，同时符合其他安规与环保RoHS要求、无铅等，其他电子特性如下：
光耦EL354N-G使用额定最大范围
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项目
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符号
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最大范围
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单位
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输入端
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顺向电流
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IF
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±50
|
mA
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峰值电流（1us脉冲）
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IFP
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1
|
A
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功率消耗
|
Pd
|
70
|
mW
|
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输出端
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功率消耗
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Pc
|
150
|
mW
|
|
3.7
|
mW/℃
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集电极电流
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Ic
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50
|
mA
|
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集电极-发射极电压
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Vceo
|
80
|
V
|
|
发射极-集电极电压
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Veco
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6
|
V
|
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总的功率消耗
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Ptot
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200
|
mW
|
|
隔离电压
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Viso
|
3750
|
V
|
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工作温度
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Topr
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-55~100
|
℃
|
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储存温度
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Tstg
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-55~125
|
℃
|
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焊锡温度
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Tsol
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260
|
℃
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光耦EL354N-G输入端特性
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项目
|
符号
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
|
条件
|
|
顺向电压
|
VF
|
---
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1.2
|
1.4
|
V
|
IF=±20mA
|
|
反向电流
|
IR
|
---
|
--
|
10
|
uA
|
VR=4V
|
|
输入端电容
|
Cin
|
---
|
50
|
250
|
pF
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V = 0, f = 1kHz
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光耦EL354N-VG输出端特性
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项目
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符号
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
|
条件
|
|
集电极与发射极暗电流
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Iceo
|
---
|
---
|
100
|
nA
|
VCE = 20V, IF = 0mA
|
|
集电极-发射极击穿电压
|
BVceo
|
80
|
--
|
---
|
V
|
IC = 0.1mA
|
|
发射极-集电极击穿电压
|
BVeco
|
7
|
---
|
---
|
V
|
IE = 0.1mA
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光耦EL354N-VG基本的转换特性
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品名型号
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图标符号
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最小值
|
平均值
|
最大值
|
单位
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测试条件
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按CTR分
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EL354N
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CTR
|
20
|
---
|
300
|
%
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IF=±1mA,Vce=5V
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|
EL354NA
|
50
|
---
|
150
|
|
集电极发射极饱和电压
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Vce(sat)
|
---
|
0.1
|
0.2
|
V
|
IF = ±20mA ,IC = 1mA
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隔离阻值
|
Rio
|
5×1010
|
1011
|
---
|
Ω
|
VIO = 500Vdc,40~60% R.H.
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|
浮动电容
|
Cio
|
---
|
0.6
|
1.0
|
pF
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VIO = 0, f = 1MHz
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|
截止频率
|
fC
|
---
|
80
|
---
|
kHz
|
VCE = 5V, IC = 2mARL = 100Ω, -3dB
|
|
上升时间
|
tr
|
---
|
---
|
18
|
us
|
VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100Ω
|
|
下降时间
|
tf
|
---
|
---
|
18
|
us
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安规认证通过：UL(No.E214129)；VDE(No.132249)；CSA(No.1408633)；SEMKO(No.716108)；FIMKO(No.FI22807)；NEMKO(No.P06206474)；DEMKO(No.313924)
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