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红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 额定工作范围（以HIR333C-A为例说明）
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项目
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符号
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范围
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单位
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持续的正向电流
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IF
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50
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mA
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峰值电流（脉冲频宽≤100us,冲击≤1%）
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IFP
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1.0
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A
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反向电压
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VR
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5
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V
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工作温度
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Ta
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-25~+85
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℃
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储存温度
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Ts
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-40~+100
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℃
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焊锡温度（焊锡点在胶体以下4mm外，≤5秒）
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Tsol
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260
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℃
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消耗功率（常温25℃以内）
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Pd
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100
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mW
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红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 电子特性（以HIR333C-A为例说明）
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项目
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符号
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最小值
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平均值
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最大值
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单位
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测试条件
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发射强度
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Ie
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7.8
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15
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---
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mW/sr
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IF=20mA(IF：顺向电流)
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---
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140
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---
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IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01
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|
---
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980
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---
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IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01
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峰值波长
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λp
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850
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nm
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IF=20mA
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波长宽度
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∆λ
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---
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45
|
---
|
nm
|
IF=20mA
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顺向电压
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VF
|
---
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1.2
|
1.5
|
V
|
IF=20mA
|
|
---
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1.8
|
2.4
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IF=100mA,tp=100_s, tP/T=0.01
|
|
---
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4.1
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5.25
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IF=1A,tp=100_s, tP/T=0.01
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反向漏电电流
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IR
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---
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---
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10
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uA
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VR=5V(VR：反向电压)
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发射角度
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2θ1/2
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---
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17
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---
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Deg.
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IF=20mA
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红外发光二极管/发射二极管/850nm发射管 发射强度等级（以HIR333C-A为例说明）IF20mA，单位mW/sr
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等级代码
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M
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N
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P
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Q
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R
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最小值
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7.8
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11.0
|
15
|
21
|
30
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最大值
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12.5
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17.6
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24
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34
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48
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HIR333C-A插件式红外发射管是EVERLIGHT一款高辐射强度850nm峰值波长的红外发射二极管，采用GaAlAs材质的发光芯片与黄色透明环氧树脂封装，2.54mm极性脚距，高辐射强度（高发射功率）与低顺向电压，具有高可靠性，其设计用于与光敏三极管、光电二极管、红外接收头等搭配使用，产品符合无铅制程与环保RoHS要求。HIR系列插件式红外发射二极管市场应用相当广泛，包含影像感测、体感/移动侦测、光遮断感测、光电开关、接近开关、光盘驱动、红外感测、数码相机、空间信号传送装置、位置感测、生物辨识、脉搏血氧侦测等
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