EL3063光耦S-Type和S1-Type有哪些不同？

EL3063光耦S-Type规格为EL3063S(TA)；EL3063光耦S1-Type规格为EL3063S1(TA)，是光耦EL3063的两种折脚规格，PIN的折脚方式不同：

S1-Type规格为EL3063S1(TA)光耦，适合红胶制程的SMT作业，而S-Type的光耦因为本体与PCB有隔空0.6mm而不适合红胶制程的SMT作业

6PIN脚 过零双向可控硅驱动光耦描述：

EL304x, EL303x, EL306x, EL308x系列光耦，由一个砷化镓的红外发光二极管发光耦合到一个单片硅过零触发双向可控硅。他们是设计用于与一个离散功率驱动从110~380交流电压的双向可控硅的接口逻辑系统设备，如固态继电器、工业控制、汽车、螺线管和家用电器。

EL303x，EL304x，EL306x是三款过零型双向可控硅输出光耦，内置过零检测模块，它在收到输入端的控制信号时，并不马上开启双向可控硅模块，而是等到“过零”后才触发双向可控硅进行导通，可选择4PIN或6PIN。

6PIN脚 过零双向可控硅驱动光耦包装方式：

1. 插件式的6PIN光耦，管装65pcs/管（常规与宽脚距规格）
2. 贴片式的6PIN光耦（S或S1贴片规格），编带1000pcs/卷

6PIN脚 过零双向可控硅驱动光耦额定最大值

1. 输入端红外发射管顺向电流最大60mA；反向电压最大6V；功率消耗最大100mW（高于85℃时，额定值降低因素：3.8mW/℃）
2. 输出端最高耐压，EL303x:250V；EL304x:400V；EL306x:600V；EL308x:800V。重复的冲击（pw=1ms,120pps）电流峰值：1安培。使用状态均方根电流：100mA。功率消耗最大300mW（高于85℃时，额定值降低因素：7.6mW/℃）
3. 总的功率消耗：330mW
4. 工作温度：-55~+100℃
5. 储存温度：-55~+125℃
6. 输入端与输出端高隔离电压达5000Vrms
7. 焊锡温度：260℃

6PIN脚 过零双向可控硅驱动光耦电子特性：

输入端：

1. 顺向电压最大1.5V（顺向电流30mA）；
2. 反向电流最大10uA（反向电压：6V）

输出端：

1. 阻断电流峰值100nA（EL303x，EL304x）/500nA（EL306x,EL308x）
2. 通态峰值电压3V（ITRMS：100mA）
3. 通态电流临界上升率1000V/us（EL303x，EL304x，EL306x）；600V/us（EL308x）
4. 抑制电压（MT1-MT2电压以上的设备将不会触发）12V
5. 抑制态泄漏电流最大500uA

传输特性：

1. LED触发电流：EL30x1*15mA；EL30x2*10mA；EL30x3*5mA（主要终端电压：3V）
2. 维持电流：平均280uA

6PIN脚 过零双向可控硅驱动光耦用途：

1. 温度控制
2. 交流电动机驱动
3. 光控制
4. 交流电动机驱动器
5. E.M.接触器
6. 电磁/阀控制
7. 静态电源开关